Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF820AS
IRF820AS спецификации: HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF820AS
IRF820AS спецификации: HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A
Производитель : IR
Упаковка : DDPak
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 146 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A