Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF7707
IRF7707 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -4.5V. RDS(on) = 33mOhm, ID = -6.0A @ VGS = -2.5V.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF7707
IRF7707 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -4.5V. RDS(on) = 33mOhm, ID = -6.0A @ VGS = -2.5V.
Производитель : IR
Упаковка : TSSOP
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 169 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -4.5V. RDS(on) = 33mOhm, ID = -6.0A @ VGS = -2.5V.