Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF7706
IRF7706 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -30V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -10V. RDS(on) = 36mOhm, ID = -5.6A @ VGS = -4.5V.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF7706
IRF7706 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = -30V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -10V. RDS(on) = 36mOhm, ID = -5.6A @ VGS = -4.5V.
Производитель : IR
Упаковка : TSSOP
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 167 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = -30V, RDS(on) = 22mOhm, ID = -7.0A @ VGS = -10V. RDS(on) = 36mOhm, ID = -5.6A @ VGS = -4.5V.