Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF7478
IRF7478 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 26mOhm, ID = 4.2A @ VGS = 10V. RDS(on) = 30mOhm, ID = 3.5A @ VGS = 4.5V.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF7478
IRF7478 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 26mOhm, ID = 4.2A @ VGS = 10V. RDS(on) = 30mOhm, ID = 3.5A @ VGS = 4.5V.
Производитель : IR
Упаковка : SO
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 229 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 26mOhm, ID = 4.2A @ VGS = 10V. RDS(on) = 30mOhm, ID = 3.5A @ VGS = 4.5V.