Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRC830
IRC830 спецификации: HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
Аналогичные IRC830
- IRC830
- HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
IRC830 Datasheet и спецификация
Производитель : IR
Упаковка : TO-220
Pins : 5
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 244 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 4.5A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 500V. Drain-to-source on-resistance 1.5 Ohm
IRC830 Скачать PDF