Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ICSI Datasheet > IS61LV6416-10BI
IS61LV6416-10BI спецификации: 10ns; 3.3V; 64K x 16 high-speed CMOS static RAM
Аналогичные IS61LV6416-10BI
- IS61LV6432-117TQI
- 117MHz; 3.3V; 64K x 32 synchronous pipelined static RAM
- IS61LV6432-117PQ
- 117MHz; 3.3V; 64K x 32 synchronous pipelined static RAM
- IS61LV12816-8TI
- 8ns; 3.3V; 128K x 16 high-speed CMOS CMOS static RAM
- IS61C632A-7TQ
- 7ns; 75MHz; 32 x 32 synchronous pipelined static RAM
- IS61LV256-15J
- 15ns; 3.3V; 32K x 8 low voltage CMOS static RAM
- IS61LV6432-7PQ
- 75MHz; 3.3V; 64K x 32 synchronous pipelined static RAM
- IS61LV6432-6TQ
- 83MHz; 3.3V; 64K x 32 synchronous pipelined static RAM
- IS61SP6464-133TQ
- 133MHz; 3.3V; 64K x 64 synchronous pipelined static RAM
IS61LV6416-10BI Datasheet и спецификация
Производитель : ICSI
Упаковка : BGA
Pins : 44
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 85 °C
Размер : 497 KB
Заявка : 10ns; 3.3V; 64K x 16 high-speed CMOS static RAM
IS61LV6416-10BI Скачать PDF