HI3669 спецификации: Emitter to base voltage5V 2A NPN epitaxial planar transistor for using in power amplifier applications

Аналогичные HI3669

HI3669
- Emitter to base voltage5V 2A NPN epitaxial planar transistor for using in power amplifier applications

HI3669 Datasheet и спецификация

Производитель : Hi Sincerity

Упаковка : TO-251

Pins : 3

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C

Размер : 35 KB

Заявка : Emitter to base voltage5V 2A NPN epitaxial planar transistor for using in power amplifier applications