Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > GSI Datasheet > GS881E18T-100
GS881E18T-100 спецификации: 100MHz 12ns 514K x 18 8Mb sync burst SRAM
Аналогичные GS881E18T-100
- GS880E36T-11
- 100MHz 11ns 256K x 36 9Mb sync burst SRAM
- GS88032BT-200I
- 200MHz 6.5ns 256K x 32 9Mb sync burst SRAM
- GS881E18AT-166I
- 166MHz 7ns 512K x 18 8Mb sync burst SRAM
- GS882Z36BB-133
- 133MHz 8.5ns 256K x 36 9Mb pipelined and flow through synchronous NBT SRAM
- GS88236B-11
- 100MHz 11ns 256K x 36 8Mb S/DCD sync burst SRAM
- GS881Z18AT-250
- 250MHz 5.5ns 512K x 18 8Mb pupelined and flow through sync NBT SRAM
- GS880E18AT-200
- 200MHz 6.5ns 512K x 18 9Mb sync burst SRAM
- GS880E36BT-225I
- 225MHz 6ns 256K x 36 9Mb sync burst SRAM
GS881E18T-100 Datasheet и спецификация
Производитель : GSI
Упаковка : TQFP
Pins : 100
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 513 KB
Заявка : 100MHz 12ns 514K x 18 8Mb sync burst SRAM
GS881E18T-100 Скачать PDF