Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > GSI Datasheet > GS820E32T-6
GS820E32T-6 спецификации: 66MHz 18ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
Аналогичные GS820E32T-6
- GS82032AQ-133
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-133I
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-166
- 166MHz 8.5ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-166I
- 166MHz 8.5ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-180
- 180MHz 8ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-180I
- 180MHz 8ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-4
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
- GS82032AQ-4I
- 133MHz 10ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
GS820E32T-6 Datasheet и спецификация
Производитель : GSI
Упаковка : TQFP
Pins : 100
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 85 °C
Размер : 379 KB
Заявка : 66MHz 18ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
GS820E32T-6 Скачать PDF