Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > GHz Technology Datasheet > 1819AB12
1819AB12 спецификации: 12 W, 25 V, 1808-1880 MHz common emitter transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > GHz Technology Datasheet > 1819AB12
1819AB12 спецификации: 12 W, 25 V, 1808-1880 MHz common emitter transistor
Производитель : GHz Technology
Упаковка : 55CT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 27 KB
Заявка : 12 W, 25 V, 1808-1880 MHz common emitter transistor