Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > GHz Technology Datasheet > 1617AB35
1617AB35 спецификации: 35 W, 25 V, 1600-1700 MHz common emitter transistor
Аналогичные 1617AB35
- 1617-35
- 35 W, 28 V, 1540-1660 MHz common base transistor
- 1617AB15
- 15 W, 26 V, 1600-1700 MHz common emitter transistor
- 1617AB15
- 15 W, 26 V, 1600-1700 MHz common emitter transistor
- 1617AB35
- 35 W, 25 V, 1600-1700 MHz common emitter transistor
- 1617AB5
- 5 W, 26 V, 1600-1700 MHz common emitter transistor
- 1617AM10
- 10 W, 18 V, 1500-1800 MHz common emitter transistor
1617AB35 Datasheet и спецификация
Производитель : GHz Technology
Упаковка : 55AR
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 536 KB
Заявка : 35 W, 25 V, 1600-1700 MHz common emitter transistor
1617AB35 Скачать PDF