Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > G Link Datasheet > GLT41016-10E
GLT41016-10E спецификации: 64k x 16 embedded EDO DRAM
Аналогичные GLT41016-10E
- GLT4160L04S-40J3
- 40ns; 4M x 4 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT4160L16-50J4
- 50ns; 1k x 16 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT44016-28TC
- 28ns; 256k x 16 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT440L16-50J4
- 50ns; 256k x 16 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT4160L04-60J3
- 60ns; 4M x 4 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT4160L04SE-60TC
- 60ns; 4M x 4 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT4160M04E-70TC
- 70ns; 4k x 4 CMOS dynamic RAM with extended data output
- GLT4160L04SE-40TC
- 40ns; 4M x 4 CMOS dynamic RAM with extended data output
GLT41016-10E Datasheet и спецификация
Производитель : G Link
Упаковка :
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 272 KB
Заявка : 64k x 16 embedded EDO DRAM
GLT41016-10E Скачать PDF