Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Fairchild Datasheet > FDC636P
FDC636P спецификации: P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Аналогичные FDC636P
- FDC602P
- P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ® MOSFET [Advanced]
- FDC604P
- P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ® MOSFET
- FDC606P
- P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
- FDC6301N
- Dual N-Channel, Digital FET
- FDC6302P
- Digital FET, Dual P-Channel
- FDC6303N
- Digital FET, Dual N-Channel
- FDC6304P
- Digital FET, Dual P-Channel
- FDC6306P
- Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET
FDC636P Datasheet и спецификация
Производитель : Fairchild
Упаковка : SOIC
Pins : 6
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 217 KB
Заявка : P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC636P Скачать PDF