Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Elpida Datasheet > PD45128168G5-A10-9JF
PD45128168G5-A10-9JF спецификации: 128M-bit synchronous DRAM 4-bank, LVTTL; MOS integrated circuit
Аналогичные PD45128168G5-A10-9JF
- PD45128163G5-A10I-9JF
- 16M; 100MHz 64-bit synchronous dynamic RAM module
- PD45128163G5-A10LI-9JF
- 16M; 100MHz 64-bit synchronous dynamic RAM module
- PD45128163G5-A10T-9JF
- 128M; 100MHz synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
- PD45128163G5-A75I-9JF
- 16M; 133MHz 64-bit synchronous dynamic RAM module
- PD45128163G5-A75L-9JF
- 128M-bit synchronous DRAM 4-bank, LVTTL; MOS integrated circuit
- PD45128163G5-A75LI-9JF
- 16M; 133MHz 64-bit synchronous dynamic RAM module
- PD45128163G5-A75LT-9JF
- 128M; 133MHz synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
- PD45128163G5-A75SU-9JF
- 128M; 133MHz synchronous dynamic RAM module
PD45128168G5-A10-9JF Datasheet и спецификация
Производитель : Elpida
Упаковка : TSOP
Pins : 54
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 750 KB
Заявка : 128M-bit synchronous DRAM 4-bank, LVTTL; MOS integrated circuit
PD45128168G5-A10-9JF Скачать PDF