HB52E649E12-B6B спецификации: 64-Mword x 72-bit; 100MHz memory bus; 1-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM

Аналогичные HB52E649E12-B6B

HB52E649E12-A6B
- 64-Mword x 72-bit; 100MHz memory bus; 1-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM
HB52E649E12-B6B
- 64-Mword x 72-bit; 100MHz memory bus; 1-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM
HB52F649E1-75B
- 64-Mword x 72-bit; 133MHz memory bus; 1-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM
HB52R1289E22-A6B
- 128-Mword x 72-bit; 100MHz memory bus; 2-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM
HB52R1289E22-B6B
- 128-Mword x 72-bit; 100MHz memory bus; 2-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM
HB52RD648DC-A6B
- 512M; 100MHz LVTTL interface SDRAM
HB52RD648DC-A6BL
- 512M; 100MHz LVTTL interface SDRAM
HB52RD648DC-B6B
- 512M; 100MHz LVTTL interface SDRAM

HB52E649E12-B6B Datasheet и спецификация

Производитель : Elpida

Упаковка :

Pins : 168

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C

Размер : 161 KB

Заявка : 64-Mword x 72-bit; 100MHz memory bus; 1-bank module; 1GB registered SDRAM DIMM