Аналогичные ECF10P25

  • ECF10N25
    • N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
  • ECF10P25
    • P-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.

ECF10P25 Datasheet и спецификация

Производитель : EXICON 

Упаковка : TO3 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 70 KB

Заявка : P-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range. 

ECF10P25 Скачать PDF