Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > EIC Datasheet > RBV2502D
RBV2502D спецификации: 200 V, 25 A, silicon bridge rectifier
Аналогичные RBV2502D
- RBV2500
- 50 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2500D
- 50 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2501
- 100 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2501D
- 100 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2502
- 200 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2502D
- 200 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2504
- 400 V, 25 A, silicon bridge rectifier
- RBV2506
- 600 V, 25 A, silicon bridge rectifier
RBV2502D Datasheet и спецификация
Производитель : EIC
Упаковка : RBV25
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 150 °C
Размер : 20 KB
Заявка : 200 V, 25 A, silicon bridge rectifier
RBV2502D Скачать PDF