Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > EIC Datasheet > RBV1002D
RBV1002D спецификации: 200 V, 10 A, silicon bridge rectifier
Аналогичные RBV1002D
- RBV1001
- 100 V, 10 A, silicon bridge rectifier
- RBV1002
- 200 V, 10 A, silicon bridge rectifier
- RBV1002D
- 200 V, 10 A, silicon bridge rectifier
- RBV1004
- "400 V, 10 A, silicon bridge rectifier"
- RBV1004D
- 400 V, 10 A, silicon bridge rectifier
- RBV1006
- 600 V, 10 A, silicon bridge rectifier
- RBV1008
- 800 V, 10 A, silicon bridge rectifier
- RBV1008D
- 800 V, 10 A, silicon bridge rectifier
RBV1002D Datasheet и спецификация
Производитель : EIC
Упаковка : RBV25
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 150 °C
Размер : 45 KB
Заявка : 200 V, 10 A, silicon bridge rectifier
RBV1002D Скачать PDF