Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > EIC Datasheet > DR210G
DR210G спецификации: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > EIC Datasheet > DR210G
DR210G спецификации: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier
Производитель : EIC
Упаковка : D2
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 175 °C
Размер : 42 KB
Заявка : 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier