Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > EIC Datasheet > 1N5822S
1N5822S спецификации: 40 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode
Аналогичные 1N5822S
- 1N5817G
- 20 V, 1.0 A schottky barrier rectifier diode
- 1N5818G
- 30 V, 1.0 A schottky barrier rectifier diode
- 1N5819G
- 40 V, 1.0 A schottky barrier rectifier diode
- 1N5820
- 20 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode
- 1N5820S
- 20 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode
- 1N5821
- 30 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode
- 1N5821S
- "30 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode"
- 1N5822
- 40 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode
1N5822S Datasheet и спецификация
Производитель : EIC
Упаковка : D2A
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 125 °C
Размер : 30 KB
Заявка : 40 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode
1N5822S Скачать PDF