CTA2N1P-7 спецификации: 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection

Аналогичные CTA2N1P-7

CTA2N1P-7
- 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection
CTA2P1N-7
- 40V; 150mW complex transistor array

CTA2N1P-7 Datasheet и спецификация

Производитель : Diodes

Упаковка : SOT-363

Pins : 6

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 67 KB

Заявка : 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection