Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Diodes Datasheet > BS817
BS817 спецификации: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Diodes Datasheet > BS817
BS817 спецификации: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
Производитель : Diodes
Упаковка : SOT-23
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 63 KB
Заявка : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor