Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Diodes Datasheet > 1N4006G
1N4006G спецификации: 800V; 1.0A glass passivated rectifier; diffused junction; high current capability and low forward voltage drop
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Diodes Datasheet > 1N4006G
1N4006G спецификации: 800V; 1.0A glass passivated rectifier; diffused junction; high current capability and low forward voltage drop
Производитель : Diodes
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 65 KB
Заявка : 800V; 1.0A glass passivated rectifier; diffused junction; high current capability and low forward voltage drop