Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Cree Datasheet > W4SRD8R-0D00
W4SRD8R-0D00 спецификации: Diameter 50.8mm; semi-insulating; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Производитель : Cree
Упаковка :
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 306 KB
Заявка : Diameter 50.8mm; semi-insulating; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition