Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Cree Datasheet > CRF-22010-001
CRF-22010-001 спецификации: 62.5mW; 120VDC; SiC RF power MESFET. For class A,AB amplifiers; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, broadband amplifiers, CATV amplifiers, MMDS
Аналогичные CRF-22010-001
- CRF-22010-001
- 62.5mW; 120VDC; SiC RF power MESFET. For class A,AB amplifiers; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, broadband amplifiers, CATV amplifiers, MMDS
- CRF-22010-101
- 62.5mW; 120VDC; SiC RF power MESFET. For class A,AB amplifiers; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, broadband amplifiers, CATV amplifiers, MMDS
- CRF-22010-TB
- 50VDC ;66W; evaluation board for CRF-22010 version A (narrowband)
- CRF-22010-TB
- 50VDC ;66W; evaluation board for CRF-22010 version A (narrowband)
CRF-22010-001 Datasheet и спецификация
Производитель : Cree
Упаковка :
Pins : 2
Темп. диапазон : Минимум -30 °C | Макс 120 °C
Размер : 157 KB
Заявка : 62.5mW; 120VDC; SiC RF power MESFET. For class A,AB amplifiers; TDMA, EDGE, CDMA, W-CDMA, broadband amplifiers, CATV amplifiers, MMDS
CRF-22010-001 Скачать PDF