DB6 спецификации: Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 60 V. Repetitive peak in-state current 1.6 A.

Аналогичные DB6

DB6
- Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 60 V. Repetitive peak in-state current 1.6 A.
DB6
- Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 60 V. Repetitive peak in-state current 1.6 A.

DB6 Datasheet и спецификация

Производитель : Chenyi Electronics

Упаковка : DO-35

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -40 °C | Макс 110 °C

Размер : 118 KB

Заявка : Silicon bidirectional DIAC. Breakover voltage(typ) 60 V. Repetitive peak in-state current 1.6 A.