Аналогичные BS616LV2010EC

  • BS616LV2020DI
    • 2.7-3.6V 70/100ns very low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16 switchable
  • BS616LV4011BC
    • 70/100ns 20-45mA 2.4-5.5V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16bit
  • BS616LV4020AC
    • 70/100ns 20mA 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8bit switchable
  • BS616LV2012DI
    • 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit
  • BS616UV1620BI
    • 70/100ns 25mA 1.8-2.3V ultra low power/voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8bit switchable
  • BS616LV4023BI
    • 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8bit switchable
  • BS616LV8013BC
    • 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 512K x 16bit
  • BS616UV1010AC
    • 150ns 15-10mA 1.8-2.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 64K x 16bit

BS616LV2010EC Datasheet и спецификация

Производитель : BSI 

Упаковка : TSOP 

Pins : 44 

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C

Размер : 214 KB

Заявка : 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit 

BS616LV2010EC Скачать PDF