Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ADI Datasheet > AD645JN
AD645JN спецификации: 18V; 500-750mW; low noise, low drift FET operational amplifier. For low noise photodiode preamps, CT scanners, precision I-V converters
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ADI Datasheet > AD645JN
AD645JN спецификации: 18V; 500-750mW; low noise, low drift FET operational amplifier. For low noise photodiode preamps, CT scanners, precision I-V converters
Производитель : ADI
Упаковка : DIP
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 70 °C
Размер : 489 KB
Заявка : 18V; 500-750mW; low noise, low drift FET operational amplifier. For low noise photodiode preamps, CT scanners, precision I-V converters